祝贺天科合达半导体股份首席科学家陈小龙研究员当选中国科学院院士
2025-11-21
中国电源产业网
导语：中国科学院物理研究所研究员、北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家陈小龙光荣当选为中国科学院院士。天科合达全体同仁谨致以最热烈的祝贺与最崇高的敬意。
2025年11月21日，中国科学院正式公布2025年院士增选结果。中国科学院物理研究所研究员、北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家陈小龙光荣当选为中国科学院院士。天科合达全体同仁谨致以最热烈的祝贺与最崇高的敬意！
陈小龙研究员是我国碳化硅半导体材料科学与技术领域的开拓者之一。他长期坚守科研一线，潜心钻研、勇攀高峰，在第三代半导体关键材料领域取得系统性突破，为我国实现该领域的自主发展作出了重要贡献。
作为天科合达首席科学家，陈小龙研究员自公司创立以来，始终致力于推动前沿科研与产业实践的深度融合。他带领团队在PVT法碳化硅单晶衬底制备与产业化技术上实现一系列原创性突破，系统攻克了大尺寸、高品质碳化硅单晶衬底的核心技术难题，有力推动了国产碳化硅衬底的产业化进程。这些成果不仅为碳化硅材料的规模化应用奠定了坚实基础，也对我国宽禁带半导体产业链的完善与升级带来了深远影响。
我们再次向陈小龙研究员致以最诚挚的祝贺！
北京天科合达半导体股份有限公司
二〇二五年十一月二十一日
编辑：电源产业网
来源：《电源工业》编辑部
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