Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度
2017-11-27
中国电源产业网
导语：
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的25V N沟道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低，仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷，导通电阻还不到0.6mΩ，使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低，可使各种应用提高效率和功率密度。
今天发布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK®SO-8封装，是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比，SiRA20DP的典型栅极电荷更低，只有61nC，FOM为0.035Ω*nC，低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多。
SiRA20DP的低导通电阻可减小传导功率损耗，提高系统效率，实现更高的功率密度，特别适合冗余电源架构中的OR-ring功能。器件的FOM较低，可提高开关性能，如通信和服务器电源中DC/DC转换，电池系统中的电池切换，以及5V到12V输入电源的负载切换。
这颗MOSFET经过了100%的RG和UIS测试，符合RoHS，无卤素。
SiRA20DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十五周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站www.vishay.com。
TrenchFET和PowerPAK是Siliconix incorporated的注册商标。
编辑：电源门户网
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